Samsung พัฒนาโมดูลแรม DDR5 เทคโนโลยี HKMG ขนาด 512GB ตัวแรกของโลก

Samsung ประกาศว่าบริษัทพัฒนาโมดูลหน่วยความจำแบบ DDR5 ขนาด 512GB โดยใช้เทคโนโลยี HKMG (High-K Metal Gate) หรือใช้วัสดุที่มีค่าคงที่ไดอิเล็กตริก (high-k dielectrics) สูงมาเป็นตัวฉนวน ซึ่งจะช่วยเพิ่มความเร็วในการรับส่งข้อมูลของแรม

โมดูลใหม่ถูกออกแบบมาใช้คู่กับซีพียูเซิร์ฟเวอร์ที่รองรับแรม DDR5 เช่น ตระกูล Epyc ‘Genoa’ ของ AMD หรือ Xeon Scalable ‘Sapphire Rapids’ ของ Intel เมื่อใช้กับซีพียูที่มี 8 แชนแนลหน่วยความจำ และรองรับ DIMM สองชิ้นต่อแชนแนล จะทำให้ใส่หน่วยความจำ DDR5 ได้สูงสุดถึง 8TB

โมดูล RDIMM (registered DIMM) แบบใหม่ของ Samsung จะใช้แรม 16GB จำนวน 32 ชุด บน DRAM 16Gb ทั้งหมด 8 ชั้น เชื่อมต่อกันด้วยด้วยเทคโนโลยี through-silicon via (TSV) เพื่อประหยัดพลังงานและรักษาคุณภาพของการส่งข้อมูล

Samsung ระบุว่าแรม DDR5 ที่ใช้ HKMG และเทคโนโลยีอื่นๆ นี้ กินพลังงานน้อยกว่าหน่วยความจำรุ่นก่อนๆ ถึง 13% ช่วยประหยัดพลังงานให้กับเซิฟเวอร์ที่ต้องการใช้แรมความจุสูงๆ เช่น RDIMM ขนาด 512GB แบบใหม่นี้

ปัจจุบัน Samsung กำลังส่งโมดูล DDR5 แบบใหม่นี้หลายๆ แบบให้กับลูกค้าเพื่อให้ตรวจสอบและยืนยันการรองรับในอนาคตแล้ว

ที่มา – Samsung, Tom’s Hardware

No Description

from:https://www.blognone.com/node/121889